Nat,Neurosci：科學家們找到記憶儲存的新機制

2016年10月08日訊 每當工作繁忙的時候

，我們都感覺自己的大腦在不斷地排出舊的信息，以期能夠容納新的信息進來。然而，我們的記憶系統(tǒng)十分先進，它能夠在不損壞已有記憶的同時高效地吸收新的記憶進來。

研究者們最近開發(fā)出一個能夠解釋這一貫穿我們?nèi)粘Ｉ畹默F(xiàn)象背后的機制的模型

。

來自哥倫比亞大學的研究者們利用數(shù)學模型解釋了不同的分子簇是如何串聯(lián)在一起形成巨大的記憶儲存系統(tǒng)的。

他們認為

，神經(jīng)元之間的突觸連接強度的變化，反映了新的信號進入使大腦儲存記憶的方式。

可以將其形象地描述為一系列的表

，它們的開啟或關(guān)閉指示這神經(jīng)元突觸之間的連接強度。

但表盤只能夠有開啟或關(guān)閉兩種形式，這就意味著其還存在局限性

，不足以解釋大腦儲存信息的方式。

2005年，有人曾經(jīng)提出過關(guān)于記憶儲存機制的另外一個模型

，即一個神經(jīng)元突觸連接包含多個表盤零件，但這一模型還是不足以解釋大腦巨大的儲存能力。

如今

，F(xiàn)usi等人認為這些表盤的開啟與關(guān)閉除了存在時間上的不連續(xù)性之外，還存在彼此之間的聯(lián)系。

“一旦我們將這一交流的因素納入整個模型中

，其能夠儲存的記憶量會有巨大的提升，因而能夠更好地代表大腦的運作模式”。

換個角度想

，我們可以認為這一系統(tǒng)是一系列由管子連接的燒杯